孙莉莉，韦 薇，张争光，徐品烈，高 岳

(1.中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京100176；2.中电科电子装备集团有限公司，北京 100176)

目前，晶片的双面磨抛方法主要包括机械双面研磨、机械双面抛光、化学机械抛光和化学抛光。机械双面研磨和机械双面抛光是在专用双面磨抛装置中，依靠晶片上下两面在液体磨料、抛光垫及加压作用下，实现对晶片的研磨和抛光，去除晶片表面损伤层，提高表面平整度，减小表面粗糙度。化学机械抛光和化学抛光是在机械抛光过程的基础上，加入化学腐蚀液腐蚀晶片表面，有利于减小晶片表面粗糙度，但化学机械抛光过程的机械抛光和化学腐蚀之间的平衡通常较难控制，且化学腐蚀会改变晶体表面的化学计量比，使表面富碲。因此，机械双面研磨和机械双面抛光是晶片表面处理的基础，对其进行深入研究十分必要。

本文涉及的晶片双面磨抛机是实现这种工艺方法的设备，其压力控制的精度、速度以及稳定性直接影响了晶片的表面质量以及磨抛效率。本文针对碲锌镉晶片双面磨抛设备的压力控制要求，研究满足双面磨抛工艺技术要求的压力控制系统，并进行测试验证。

1 晶片双面磨抛机工艺过程和原理

1.1 晶片双面磨抛机工艺过程

晶片双面磨抛一般分为两步：双面研磨和双面抛光。在双面研磨阶段，采用底盘+玻璃研磨盘+金刚石颗粒液的方式，研磨压力控制在1～500 N，双面研磨去除量较大，目的是迅速地去除晶片绝大部分的多余材料（加工余量的70%）；……