范红娜，杨洪星

（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220）

单晶硅抛光片表面质量探究

范红娜，杨洪星

（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220）

LED集成度越来越高，集成电路线宽不断收窄，对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求，抛光片表面质量对器件制造有重要影响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺，其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了RCA清洗过程的两个关键因素对晶片表面质量的影响。

清洗技术；花篮；氢氟酸；颗粒度

自20世纪50年代固体元器件诞生以来，LED、集成电路等领域的发展都离不开Si材料的进步。LED集成度越来越高，集成电路线宽也历经更迭，90 nm、65 nm到现今的14 nm。这些都对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求，抛光片表面颗粒沾污对器件制造有着重要影响，在超大规模集成电路的制造过程中有90%的失效是由于粒子引起的［1-4］。

在硅抛光片制作过程中，晶片经过切片、倒角、磨片、化学机械抛光等不同的工序加工后，其表面已受到严重沾污。其表面沾污通常以原子、离子、分子或膜的形式通过物理或化学吸附的方式附着在晶片表面。RCA结合兆声湿法清洗的方式，推动了晶片清洗技术的跨越式发展。其采用0.8～1.0 MHz的高频兆声结合DHF、SC-1、SC-2等溶液对晶片进行清洗，清洗液分子在高频兆声的作用下加速运动，利用高频声波能量在清洗液中形成的高速微水流连续冲击晶片表面，使物体

RCA清洗是保障晶片表面质量最为关键的工艺，对于晶片表面质量有重大影响，其受到诸多因素影响。……