杨淑敏， 许少文， 岂云开， 顾建军

（河北民族师范学院 物理与电子工程学院，河北 承德067000）

氧化锌（ZnO）作为一种典型宽禁带半导体材料，具有稳定的六角纤锌矿结构.ZnO具有较宽的带隙（3.3 eV）和较大的激子束缚能（60 meV），具有优异的光电性能和良好的透明导电性［1］.目前，ZnO已广泛应用于太阳能电池、平板显示器、半导体激光器、紫外发光传感器、压电材料和表面声波器件［2-10］等新一代光电器件领域.此外，它在进行金属离子掺杂后会呈现室温铁磁性，是制备稀磁半导体的首选氧化物.因此，ZnO被科学家赞誉为最具发展潜力的薄膜材料.

早在2000年，Dietl等［11］就对掺Mn的ZnO进行了理论计算，利用Zener模型，从理论计算角度预言了以宽带隙半导体为基体的稀磁半导体具有室温铁磁性（RTFM），由此掀起了研究ZnO基稀磁半导体的热潮.2006年，Huang等［12］注意到Cu掺杂ZnO的样品呈现出室温铁磁性，认为铁磁性来源于离子替位，即Cu离子替代了Zn离子的位置.2011年，岂云开等［13］采用直流共溅射方法，制备了Al／ZnO／Al纳米薄膜，采用了一种新的磁性修正方法对样品的磁测量数据进行了处理，并根据修正结果分析了退火温度和氛围对复合薄膜磁性的影响，最后根据实验结果，合理推测Al和ZnO基体之间发生的电荷转移是样品室温铁磁性的可能来源.2014年，郝嘉伟［2］采用JGP-450A型磁控溅射沉积系统，采用直流射频反应共溅射的方法制备了Zn1－xCuxO薄膜，并通过测试发现，所有的Zn1－xCuxO样品均呈现出室温铁磁性，分析了不同制备参数对薄膜室温铁磁性的影响和……