刘雁 李丽娅 杜启涛 万宝杰 宁凤霞 宿彤

半导体激光又称二极管激光，是波长为800～980 nm的低能量激光，应用于根管预备后根管内照射，能有效杀菌，控制炎症，增加根管充填的封闭性，减少微渗漏，提高根管治疗的成功率[1]。机制是依靠其产生的热效应，破坏根管内细菌的细胞结构以及对牙本质小管的改建作用，从而改变根管壁界面。以往的研究多集中于根管壁的超微结构的角度以及根管微渗漏方面来探讨激光的效应。本研究分析经半导体激光照射后根管封闭剂在根管壁表面的铺展能力即研究根管封闭剂对根管壁的润湿性，探讨激光对根管壁的影响，找出最佳的激光参数，为临床提供理论依据。

1 材料与方法

1.1 主要材料和设备

根管封闭剂Seal easy mix(VDW，德国)；PROTAPER镍钛器械(Densply，美国)；EDTA凝胶(美塔，韩国)；流动树脂BEAUTIFUL flow plus(松风，日本)；接触角测量仪(JC2OOOC1，上海中晨数字技术设备有限公司)；980 nm半导体激光(北京大恒新纪元)；扫描电子显微镜(Supra55,Zeiss，德国)。

1.2 方法

1.2.1 牙本质样本制备 选取因牙周病或正畸而拔除的第二前磨牙35 个。标准：(1)牙根发育完成，牙体保持完整，无龋坏，无明显裂纹；(2)扁平单根管，弯曲度<20°，未经治疗。

清除软组织及牙石，用高速手机在釉牙骨质界处截去牙冠，每个根管使用PROTAPER镍钛器械预备至F3，根管预备过程中使用EDTA凝胶润滑根管壁，每次更换器械使用1%NaClO溶液冲洗根管，预备完玻璃离子暂封浸泡于0.9%的生理盐水中4 ℃冰箱保存。截去根尖1/3，保留根冠2/3，使用骨凿将牙根纵劈开，保留根管壁剖面完整，打磨样……