锥形植入脑深部电极射频热凝毁损治疗局灶性皮质发育不良1例☆
2021-07-30韩彦明沈云娟史哲兰正波刘亚丽王天成张新定
中国神经精神疾病杂志 2021年4期
关键词:癫痫
韩彦明 沈云娟 史哲 兰正波刘亚丽 王天成 张新定
局灶性皮质发育不良(focal cortical dysplasia,FCD)是引起药物难治性癫痫的常见原因,在癫痫手术中约占1/2。文献研究表明传统开颅术治疗后癫痫缓解率可达85%,效果良好[1-2]。但毗邻功能区且位置深在的FCD,传统开颅术并发症较多、手术风险高,且该部位往往需要植入脑深部电极来鉴别功能区与致痫区的关系,因此立体定向脑电图(stereoelectroencephalography,SEEG)引导的射频热凝术可能成为外科干预的最佳选择,然而该技术仅部分毁损致痫灶,治疗效果较开颅手术低。如何优化常规电极植入方案使得植入电极全面覆盖致痫灶从而提高射频热凝效果,目前相关研究国内外鲜有报告。文中对1例位于中央后沟与顶内沟交界区的FCD采用沿沟底依据病灶形态 “锥形植入”的方法来优化植入方案,以达到彻底毁损致痫灶来提高疗效,现报告如下。
1 临床资料
1.1 一般资料患者,男,15岁,右利手。主诉:发作性肢体抽搐12年。患者于12年前无明显诱因出现头眼、身体均向右侧偏转,双上肢向上伸直或呈“4”字征,下肢伸直或屈曲,严重时意识丧失,发作持续十几秒,平均每天发作1~2次,患者于当地医院就诊,诊断为癫痫,予口服“氯硝西泮片”、“拉莫三嗪”、“托吡酯片”等治疗,发作次数较前减少,但平均每月仍发作10次以上,被诊断为药物难治性癫痫。因对药物治疗疗效不满意要求手术,遂来我院就诊。患者足月顺产,无外伤史,家族中无癫痫史,生长发育正常,神经系统查体未见明显异常。……
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