摘 要：微电子领域应用的先进封装技术包括凸点互连技术、再布线、倒装片、3D堆叠等，而光刻与电镀工艺流程是先进封装技术中的重要环节。光刻工艺是运用光学、化学反应等原理将图形传递到单晶表面或介质层上。电镀工艺运用电化学反应，在金属介质层上镀出所需金属，构成金属导线。光刻作为电镀的前置基础，起到了承上启下的作用。现从光刻与边缘曝光系统出发对电镀工艺进行探讨，分析了光刻胶分辨率模型表达式和电镀工艺的公式模型以及边缘曝光系统对后续电镀的作用，同时对光刻工艺分辨率和电镀效率增强技术进行了调研。

关键词：先进封装;光刻;边缘曝光;电镀

0    引言

先进封装技术的重要工艺流程包括涂胶—曝光—显影—烘烤—电镀—去胶—清洗，即先在硅片上涂覆一层光刻胶，光刻胶经过曝光发生化学反应，然后通过显影将所需要的细微图形从掩模版转移至硅片上，最后实施电镀等工艺。随着电子产品向轻、薄、小及功能多样化方向发展，未来半导体封装技术对光刻胶线宽、电镀金属导电率、可靠性等要求会越来越高。

1    工艺流程与模型表达式

1.1    工艺流程介绍

在涂胶—曝光—显影—硬烘—电镀—去胶—清洗的封装工艺流程中，每一步都有其关键参数和作用。涂胶：涂胶的厚度和均一性与胶的粘度和转速息息相关。曝光：分正性和负性光刻胶，正性光刻胶感光部分可溶，负性不感光部分可溶。能量、焦面为曝光重要参数，不同的胶厚，所需要的曝光剂量不同。……