LTCC基板层压后开通腔工艺研究
2021-07-02刘红雨贾少雄
科技创新与生产力 2021年5期
刘红雨,李 俊,贾少雄
(中国电子科技集团公司第二研究所,山西 太原 030024)
低温共烧陶瓷 (Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术作为一种先进的无源器件集成及混合电路封装技术,是实现高度集成、高性能电子封装的先进技术之一,凭借其优良的高频和高速传输特性、高集成度、卓越的热稳定性和机械性能,广泛应用于汽车、电子、医疗、航空、航天等领域[1]。
随着LTCC组件设计使用频率的日益提高,为适应LTCC集成系统内部高互连密度电路和高频信号性能的需要,要求实现较高程度的接地效果和更高的通孔间垂直互联的精度要求,现已开发出LTCC基板涂导电胶、金属浆料包边等多种基板外边缘屏蔽技术,能够较好地屏蔽微波信号进入其他介质。
由于烧结后LTCC基板材料本身致密的特性,在激光切割后由于热效应的作用会产生大量的析晶效应和热熔渣现象,导致烧结的过程中金属浆料和陶瓷无法进一步发生致密反应,不能满足金属屏蔽层的附着力要求,因而需要进行侧面屏蔽层加工的LTCC基板烧结后的精密成形只能通过砂轮切割方式进行。受限于砂轮切割方式的加工特性,此种切割方式只能满足矩形LTCC基板的加工要求,对于有金属屏蔽层需求的异形基板的外形加工,只能采用共烧前进行腔体成型的方式完成基板异形轮廓后进行砂轮切割。
1 层压后开通腔的可行性实验
目前LTCC基板加工工艺中在共烧前常用的腔体成型方式为单层开腔模式,即在打孔同时进行机……
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