赵晓宁，袁笑颖，许嘉琪

(东北师范大学 a.物理学院；b.物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024)

作为信息存储的重要载体，存储器是微电子领域重要发展的技术之一[1-2]. 现代信息技术的快速发展对高密度信息存储提出了更高的要求. 目前主流的浮栅存储技术受到电子遂穿等问题的限制，器件尺寸难以持续缩小. 新的存储技术，如铁电存储[3]、磁存储[4]、相变存储[5]和阻变存储器等受到广泛关注. 阻变存储器因写入速度快、运行能耗低、保持时间长、与传统CMOS工艺兼容等优点而被视为下一代存储技术的有力竞争者. 阻变存储器在器件结构上通常为导体/介质层/导体的三明治结构. 阻变层材料是器件的核心，最常见的阻变层材料主要有金属氧化物[6-7]、固态电解质[8-11]和有机物[12-14]等. 器件反复运行会造成介质层内部离子缺陷过度积累，直接影响了器件运行的可靠性，限制了应用. 发展离子缓冲层，限制离子过度积累是解决该问题的有效方案. 近年来，多种离子缓冲层材料被相继提出，主要包括金属材料[15]、硅材料[16]、金属氧化物材料[17]和合金材料[18]等. 寻找新的离子缓冲层材料仍是领域内研究的热点问题. 相对于上述材料，生物果胶材料具有来源广泛、价格低廉、易于制备等优点. 更重要的是，果胶属于酸性多糖，有易电离的羧基官能团，这些电离后的官能团呈负电性，能够与带正电的金属阳离子相互作用，极大限制离子的过量注入. 本……