偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响
2021-04-07李洪李玉婷林松盛石倩郭朝乾苏一凡代明江
李洪,李玉婷,林松盛,石倩,郭朝乾,苏一凡,代明江
(1.广东省现代表面工程技术重点实验室 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省科学院新材料研究所,广州 510651;2.广东工业大学 材料与能源学院,广州 510006)
四面体非晶碳(ta-C)膜比传统的Ti(Al,Cr)N[1-3]、TiCN 及类金刚石薄膜(DLC)等硬质膜层具有更高的硬度(≥40 GPa)、更好的耐磨性,且不易与被加工金属发生粘黏,被认为是性能最接近金刚石的涂层材料[4],在铝合金加工,尤其是精密加工领域,拥有极大的应用前景[5]。然而利用电弧离子镀技术制备ta-C 膜存在两个缺点:1)在制备过程中会产生很大的残余应力,导致ta-C 薄膜与基底的结合性能差,不利于沉积厚膜[4,6];2)ta-C 膜中存在许多“大颗粒”,直接影响膜表面形貌和耐磨性,导致ta-C 膜难以在高精密加工领域实现更为广泛的应用[7]。
针对残余应力,可在碳基薄膜中掺杂N、P[8]、Ti[9]、Si[10]和Mo[11]等微量元素,当掺杂元素含量较小时,碳基薄膜残余应力降低且硬度降低,随着元素含量增加,残余应力降低速度放缓。Kim 等人[12]对碳基薄膜进行退火处理,由于薄膜原子体积增大,导致局部应力降低。Han 等[13]以 Cr 为过渡层制备的Cr/ta-C 薄膜比相同厚度的ta-C 膜的残余应力降低近30%。Sheeja 等[14]通过调节基底偏压,沉积了两层软硬不同的ta-C 膜,软膜吸收了硬膜中的应力,降低了ta-C 膜的残余应力。针对“大颗粒”,Hu 等[15]研究表明,其密度随着脉冲电源弧流线性增加。田修波[16]在电弧石墨靶表面增加励磁线圈,形成轴向电磁场和机械磁场,进而对靶表面阴极弧斑进行控制,从而达到抑制大颗粒产生的目的。……
