马鹏鹏 李鑫

◆摘  要：光刻工艺是一种复印图像同化学腐蚀相结合的技术。它先采用照相复印的方法，把光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅层或金属蒸发层上，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅或金属层进行选择性腐蚀，从而在二氧化硅或金属层上得到与光刻版相应的图形，本文对晶闸管光刻原理进行了基本的分析。

◆关键词：晶闸管;光刻;工艺;原理

在晶闸管生产中通常对晶闸管要做两次光刻，以此是利用光刻胶的保护进行刻蚀，这个光刻是选择性的光刻，作用是为阴极面选择性扩磷做准备。第二次光刻是反刻，主要是取得需要的图形的阴极和门极铝膜以及其他金属膜，其原理同第一次光刻一样，只有在工艺条件与腐蚀方法有所不同。

1涂胶

硅体表面情况的好坏对光刻胶和硅片粘贴好坏有着直接的影响，是光刻能否成功的关键因素。因此在氧化结束后立刻从炉内取出硅片装在玻璃器皿内，立即进行光刻的涂胶步骤，如果不能立即进行涂胶可以储存在干燥塔或氮气箱内，在涂胶之前进行30分钟200℃的烘烤。如果未能及时涂胶应在氧化炉中进行800℃的烘烤，然后再进行涂胶工艺。对与反刻铝芯片应用丙酮去油然后烘干涂胶。涂胶工艺可以采用喷涂、旋转、擦涂法进行。擦涂法：用脱脂棉或纱布沾胶后，在硅片表面擦涂。此法简单易行，但胶膜薄厚不易控制，且不均匀，易沾上棉花毛，对要求不高的产品尚可使用，比较适合于小型个体企业使用。……