黄华栋　卞　达　杨大林　闵鹏飞　赵永武

(①苏州工业职业技术学院，江苏 苏州 215104； ②江南大学机械工程学院，江苏 无锡 214122)



抛光介质对镁合金化学机械抛光的影响*

黄华栋①②卞达②杨大林②闵鹏飞②赵永武②

(①苏州工业职业技术学院，江苏 苏州 215104； ②江南大学机械工程学院，江苏 无锡 214122)

利用扫描电镜、X射线光电子能谱仪和白光干涉仪研究了碱性抛光液中不同有机溶剂与无机溶剂包括乙二醇、聚乙二醇、去离子水和1%磷酸氢二钠水溶液对镁合金化学机械抛光效果的影响，测试了材料的去除率。结果表明，当采用乙二醇、聚乙二醇等有机溶剂作为抛光液的抛光介质时，能够有效改善镁合金在抛光过程中的点蚀现象，但材料去除率较低；采用去离子水作为抛光介质时，虽然材料去除率较高，但抛光后镁合金表面点蚀现象严重；采用去离子水作为抛光介质并添加1%的缓蚀剂磷酸氢二钠时，能够在保证材料去除率的同时，有效改善镁合金抛光后的表面质量，而且几乎没有点蚀出现。

化学机械抛光；抛光介质；粘度；去除率；粗糙度；点蚀

随着科技和工业的快速发展，镁合金在工业上的应用越来越多，与其他结构材料相比，镁合金具有如密度低、比强度和比刚度高、减振性好、抗辐射等优点，在电子、汽车、航空航天等领域都体现着重要的应用价值，由于应用前景广阔，所以追求其表面完美性要求也随之提高。目前，国内外对于微电子半导体领域的化学机械抛光(CMP)已经做了大量研究[1-6]，但对于合金尤其是镁合金的化学机械抛光研究较少。……