吴光声 高峰

●综 述

SCN1A基因突变和全面性癫痫伴热性惊厥附加症相关研究进展

吴光声 高峰

全面性癫痫伴热性惊厥附加症（GEFS+）是家族遗传性癫痫综合征，自1997年Scheffer和Berkovic[1]报道以来，越来越受到医学界的关注，并作为一种新的综合征在2001年被国际抗癫痫联盟列入癫痫综合征分类[2]中。目前国内外学者对其研究主要集中在致病基因上，已经证实的相关致病基因有5种离子通道蛋白亚单位基因，分别为编码电压门控钠离子α1、α2、β1亚单位的SCN1A、SCN2A、SCN1B基因和编码配体门控氯离子通道的GABAA受体γ2、δ亚单位的GABRG2、GABRD基因。其中文献报道较多的是SCN1A基因突变。本文重点综述SCN1A突变类型特点和GEFS+临床表型相关性的研究进展。

1 电压门控钠通道（voltage gated sodium channel，VGSC）和SCN1A基因

VGSC是一种广泛存在于神经元、神经内分泌细胞、肌肉和心肌细胞膜上的跨膜蛋白，具有电压依赖性激活、快速失活和钠离子选择性通透等特征，主导这些可兴奋细胞动作电位上升支的产生和传导[3]，具有重大意义。人脑组织中的是有α、β亚单位组成的复合体，其重要功能包括电压门控机制和钠离子选择性通透均通过α亚单位实现。

VGSC的α亚单位有4个相似的结构域（DⅠ-DⅣ）组成，每个结构域含有6个跨膜α螺旋（S1-S6）和一个位于S5、S6之间的管孔环路，管孔环路铺衬在外，S5、S6螺旋铺衬于内构成一个入口狭窄，出口宽敞的离子通道，每个结构域中的S4都含有5～8个带正电荷的氨基酸残基起着门控电荷的作用，称为“电压感受区”，同源结构域Ⅲ和Ⅳ通过一些短环路相互连接起到门控作用，当细胞膜持续去极化时，它们折叠入通道结构内，从细胞膜的内侧阻滞管孔使通道失活，称“失活门”[4]。……