APP下载

加楔块超声相控阵的聚焦特性测试

2012-07-01刘晓睿强天鹏邬冠华

无损检测 2012年11期
关键词:晶片深度

刘晓睿,强天鹏,邬冠华

(1.苏州热工研究院有限公司,苏州 215004;2.江苏省特种设备安全监督检验研究院,南京 210003;3.南昌航空大学 无损检测技术教育部重点实验室,南昌 330063)

1 相控阵聚焦原理

超声相控阵区别于常规超声的两个重要特性是声束偏转和聚焦。所谓“声束聚焦”是指由于各个晶片距离焦点的声程不同,通过改变晶片间的延时时间,让距离焦点远的晶片先发射信号,而距离焦点近的晶片后发射信号,从而使各个晶片发射的信号同时到达焦点,并在一个小区域内 形成一个高强度声场。假设晶片间的距离为p,聚焦深度为F,介质中的声速为c,则各个晶片的延时时间为:

式中n为晶片序号;t0是为了防止出现一个负的延时时间而设置的时间常数。

2 安装楔块条件下相控阵聚焦能力测试

2.1 测试装置

试验使用的仪器是OLYMPUS公司的OmniScan MX 32:128便携式相控阵检测仪,利用TomoView软件进行数据判读。采用的探头是5L64A2,共有64个晶片,晶片间的距离(pitch)为0.6mm。采用的试块是 ASTM E2491—2008[1]附录中的图A1.1所示的试块,试块中横孔为φ2mm×25mm,相邻孔深度和水平间距均为5mm。此项试验中采用特定角度编码器B扫,安装的楔块是SA2-N55S,折射角度为55°,激发晶片数量是8个、16个和32个,设置的聚焦深度为:10,50,100,150,200mm。

试验条件基于ASTM E2491—2008的附录1,测试相控阵的偏转和聚焦能力,在扫查上使用带编码器线扫。试块及扫查示意见图1。

2.2 近场区计算结果

利用公式:

式中Neff——近场长度;

k矩形——近场长度修正系数;

L——探头长度;

β——声束折射角;

α——声束入射角;

L斜楔——楔块中声程;

v试件——试件声速;……

登录APP查看全文

猜你喜欢

晶片深度
边缘梯度算法在LED 晶片定位的应用研究*
深度观察
深度观察
深度观察
双晶片悬臂梁式压电传感器的有限元仿真研究
深度观察
单晶硅抛光片表面质量探究
IBM发明纳米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍
金刚石多线切割材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响
提升深度报道量与质