白敏，冷 宏 ，李超群 ，3

(1.大连海事大学环境工程研究所，辽宁大连116026；2.大连大学环境与化学工程学院，辽宁大连116622；3.大连博羽环保技术开发有限公司，辽宁大连116026)

随着特大规模集成电路研发与生产的发展，硅片的线宽不断减小（0.09～0.13 μm）和硅片直径不断增大（300 mm），因而对硅片表面质量要求越来越严格[1-2]。这是由于抛光硅片表面存在颗粒、金属污染、有机污染、自然氧化膜和微粗糙度等，而严重地影响着特大规模集成电路的性能和成品率，其表面清洗就更至关重要了。其中清洁臭氧气体产生装置（器）制取的臭氧及其水溶液是新一代的绿色强氧化剂，被逐步地应用于液晶基板和半导体晶片的清洗；高集成度IC基板电路的绝缘成膜；感光耐蚀膜的剥离及硅片表面氧化处理。由于环保越来越严格的要求，原来需消耗大量化学药品的处理方式将逐步过渡为环保型处理方式，所以臭氧的应用正在不断扩大[3-6]。而高浓度清洁臭氧产生装置市场却被发达国家占据，为了改变这一被动局面，大连海事大学环境工程研究所在国家863项目（2008AA06Z317）和国家自然科学基金项目（50778028）等资助下研制成功dhO3g系列臭氧产生装置（器），其臭氧浓度达到240 mg/L，满足了φ300 mm硅片清洗及高浓度臭氧水（10～100 mg/L）制备的需要[7]，该装置主要技术指标达到同类进口设备的先进水平，该设备研制成功将大幅度降低硅片清洗成本，比进口设备具有更佳的性价比优势。

1 设备的先进性及特点

(1)高性能。本研究所在强电场电离放电研究取得了突破性进展，电离折合电场强度达到380Td，电子的平均能量达到7～9 eV，均比现有分别高出50%、40%。……