清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响
2011-06-28陈琪昊韩焕鹏
电子工业专用设备 2011年7期
陈琪昊,吕 菲,刘 峰,韩焕鹏,莫 宇
(中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220)
单晶硅是一种比较活泼的非金属,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。硅晶体结构属于金刚石结构,其晶格是由两个相同原子构成的面心立方晶格沿立方的体对角线错开1/4长度套构而成,是一种由相同原子构成的复式晶格。
单晶硅在实际生产过程中,无论是抛光片还是研磨片,研磨工艺之后都需经过清洗。如果硅片表面洁净度较低,表面发生变花、发蓝以及发黑等现象时,所得到的研磨片是不合格的;另外硅研磨片清洗的洁净度直接影响着化抛和抛光工序,因此硅研磨片的清洗在半导体清洗工作中具有重要的作用[1]。
1 硅片表面被污染的来源
在硅片加工及器件制造过程中,所有与硅接触的外部媒介都是硅片污染杂质的来源。主要包括以下几方面:硅片加工成型过程中的污染、环境污染、水造成的污染,试剂带来的污染、工业气体造成的污染、工艺本身造成的污染、人体造成的污染等[2]。
对于硅研磨片而言,表面的玷污主要来源于研磨工序。具体来说,玷污主要来自于以下几方面:
(1)研磨之后,若不及时将硅片放入水中,其表面将与大气中的气体发生反应而产生一薄层,其中以氧化层为主。
(2)在研磨结束取片的过程中由于操作者的不正当操作而引起的玷污,例如操作者不戴手套直接接触硅片,此时硅片表面将被操作者手上的油性物质玷污。……
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