杨洪星，张伟才，陈亚楠，王 斌，张春翔，刘春香，赵 权

(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津，300220)

近年来，随着科学技术的发展，锗单晶成为了一种新的清洁能源材料。锗单晶抛光片已成功地用于太阳能电池领域。在锗衬底上通过外延GaAs层而制造的Ge/GaAs太阳能电池与硅太阳能电池相比具有转换效率高、耐辐射、寿命长、温度敏感性小等特点，另外Ge/GaAs太阳能电池相对于传统的GaAs/GaAs太阳能电池来讲具有质量轻、成本低等优点[1，2]。相对于N型锗单晶片，P型锗单晶片的耐辐射性能更强，同时P型锗单晶片主要用于制作P-Ge/GaAs/AlGaAs多结太阳电池，具有较高的光电转换效率，因此，P型锗单晶片的研究受到了广泛地关注[3]。

由于P-Ge/GaAs/AlGaAs多结太阳电池主要用于空间领域，这就要求电池的重量较轻。P型锗单晶抛光片的厚度越薄，则多结太阳电池的质量越轻。目前，国际上较为成熟的P型锗单晶抛光片产品的厚度为 175 μm±15μm、140 μm±15 μm，已经属于超薄晶片加工的范畴。对于超薄晶片的加工，可以采用有蜡抛光方式、贴膜抛光方式以及真空吸附抛光方式。

本文对P型锗单晶抛光片的去蜡技术进行研究，研究了不同清洗温度、抛动频率、级联式清洗等对锗单晶抛光片去蜡效果的影响。

1 试验

1.1 样品

导电类型：P型；

晶向：<100>偏(111)9°±1°；

电阻率：0.001～0.05 Ω·cm；

厚度：175 μm±15 μm；

抛光方式：有蜡抛光；

表面：单面抛光。

1.2 试验过程

采取有蜡抛光方式对锗单晶片进行抛光，然后取片，并将晶片放到专用的花篮中。针对清洗温度、抛动频率、级联式清洗等因素开展清洗工艺试验，以相同的干燥工艺进行干燥。……