袁延超，袁 方，李玉霞

(山东科技大学 电气与自动化工程学院，山东 青岛 266590)

忆阻器概念于1971年由Chua[1]提出，首次将电荷与磁通关系联系起来。2008年，惠普实验室工作人员使用纳米技术基于掺杂的TiO2薄膜成功研制了具有忆阻器特性的实物器件，首次将真实器件与忆阻器概念联系起来[2]。忆阻器是除电阻、电容和电感以外的第四种基本电路元件。文献[3]提出忆阻器是一个具有二端口网络的器件，忆阻器阻值的大小不只与加在其两端的电压极性、大小及加在其两端电压的持续时间长短有关，并且与加在它两端电压历史值有关，即使断电，忆阻器的阻值也不会消失。利用忆阻器的非易失性可以模拟人脑神经网络的功能，已被应用于人工神经网络领域[4-6]、人工智能[7-9]和电子工程[10]等领域。

目前忆阻器实际器件的实现难度和成本都比较大，尚未发展到商用阶段，研究多集中在忆阻器的数学模型和忆阻器仿真器[11-14]方面。忆阻器作为一种新型非线性元件，引入电路后很容易实现电路的混沌振荡，构建基于忆阻器的混沌电路对研究忆阻器的应用及非线性动力学的发展具有重要意义。文献[15]提出一种由实际器件组成的浮地忆阻器仿真器，用于模拟阈值型二进制忆阻器的动态特性。文献[16]提出新的三相二极管桥式忆阻器记忆特性，通过数值仿真和电路仿真分析了v-i磁滞回线。通过将忆阻器应用到新的混沌电路，或者替换原有电路中的线性或非线性元件，可以生成动力学特性更为丰富的混沌吸引子[17-19]。……