王冬慧，武鑫，孙宁宁，张晗，高剑峰

(河南中医药大学 a.基础医学院，b.研究生院，郑州 450046)

放射性脑损伤是指放射线照射引发的脑部广泛损伤，常发生于头颈部肿瘤及脑部转移瘤放射治疗(放疗)后，受损程度与放射剂量呈正相关[1]。然而，放疗是脑部原发或转移性肿瘤不可缺少的治疗方式，因此此类疾病的临床放疗剂量常常受到限制。当放射剂量达到一定值后，脑组织的形态和功能均会发生变化，出现细胞增殖分化受阻、凋亡增多、细胞周期变化、线粒体受损以及神经结构及突触可塑性改变等；病理上表现为白质变性坏死，内皮细胞受损、血管损伤及血脑屏障受损可导致认知功能障碍、记忆能力降低[2-3]。放射线所致的脑损伤主要表现为神经干细胞增殖分化抑制、神经元凋亡增多，由此引发的认知和学习记忆障碍给患者带来极大负担。电针在治疗各类脑损伤方面具有独特优势，在脑损伤发生后可通过调节多种信号通路促进神经干细胞增殖分化，并抑制其凋亡，修复受损组织[4]。近年来，随着神经干细胞的广泛研究及干细胞移植的运用，电针调控神经干细胞增殖分化有望改善放疗所致的学习记忆功能障碍。现就电针治疗放射性脑损伤的相关研究进展予以综述。

1 放射性脑损伤的损伤机制

放射线可损伤大脑，影响学习记忆等功能。一系列研究证实了放射线对学习记忆的损伤作用，例如，2.3 Gy的X线辐射即可对Long-Evans大鼠的学习记忆能力产生影响；……