何 潇，郎小娥，梁 瑛，柴 娜，侯钦强，栗恺雯，郝 萌，刘 彩

1.山西医科大学,山西030000；2.山西医科大学第一医院

精神分裂症（schizophrenia，SCH）是一种高致残率、高死亡率的慢性疾病，认知损害（cognitive impairment，CI）是其致残的主要症状之一[1]。胰岛素抵抗（insulin resistance，IR）是导致精神分裂症病人发生糖尿病、冠心病，进而致死的原因之一。事件相关电位（event⁃related potentials，ERPs）是判断精神分裂症病人认知功能的主要指标。现有研究多采用认知量表判断首发精神分裂症（first episode schizophrenia，FES）病人认知损害程度，本研究采用事件相关电位对伴有胰岛素抵抗的未治疗首发精神分裂症病人认知损害进行多层次、多角度分析，现将结果报道如下。

1 对象和方法

1.1 研究对象 选取2020 年1 月—2021 年1 月就诊于我科门诊的50 例未治疗首发精神分裂症病人作为研究对象。纳入标准：①符合美国精神障碍诊断统计手册第四版（DSM⁃Ⅳ）的精神分裂症诊断标准；②首次发病；③阳性和阴性症状量表（Positive and Negative Syndrome Scale，PANSS）得分≥60 分；④未接受过精神类药物治疗；⑤年龄18～45 岁。排除标准：①伴有糖尿病、高脂血症等代谢性疾病、脑器质性疾病及有脑外伤史；②伴有可影响脑诱发电位检查的听力障碍和视力障碍等；③有药物滥用或依赖史；④合并其他精神疾病。本研究方案已通过医院伦理委员会审批，所有研究对象均签署知情同意书。

1.2 调查指标及方法 ①一般人口学资料：收集调查对象年龄、性别、发病年龄、病程、受教育年限，并计算体质指数（body mass index，BMI）。②实验室指标：抽取调查对象空腹静脉血，测定其空腹血糖（fasting blood glucose，FBG）、空 腹 胰 岛 素（fasting serum insulin，FINS）；采用稳态模型评估胰岛素抵抗指数(HOMA⁃IR)，HOMA⁃IR=FBG×FINS/22.5，HOMA⁃IR<2.69 为正常，HOMA⁃IR≥2.69 为存在胰岛素抵抗。③事件相关电位：采用意大利EB Neuro 公司NeMus2+型脑诱发电位仪进行事件相关电位P300（N1、P2、N2、P3a、P3b）和失匹配负波MMN 检查，采用oddball 刺激模式，记录P300 的潜伏期及波幅、MMN 潜伏期。P3b潜伏期<378 ms 为正常，378～401 ms 为轻度异常，402～425 ms 为中度异常，≥426 ms 为重度异常；MMN 潜伏期<210 ms 为正常，210～240 ms 为轻度异常，241～270 ms 为中度异常，≥271 ms 为重度异常。总异常=轻度异常+中度异常+重度异常。④精神分裂症症状严重程度：由2 名经过一致性培训的主治医师或主任医师采用PANSS 对调查对象进行评估，该量表由阳性症状、阴性症状、一般精神病理3 个维度组成，其中，阳性症状和阴性症状各包含7 个条目，一般精神病理包含16 个条目,每个条目均采用1～7 分评分，得分越低表示越好。

1.3 统计学方法 采用SPSS 23.0 进行统计学分析。……