高云婕，高 见，周小羽

(1.扬州科技学院电子工程学院，扬州 225009；2.扬州大学物理科学与技术学院，扬州 225002)

1 引 言

过渡金属硫属化合物(TMDs)，由于优良的物理化学性质引起了人们的广泛关注[1-5].其中，二硫化钼作为典型代表，其二维体系具有类石墨烯的蜂窝状点阵结构特点，单层二硫化钼由SMo-S组成，其中一个Mo层封闭在两个S层中，原子正六边形排列，层间通过范德华力连在一起[6，7].体相MoS2是带隙为1.3 eV的间接带隙半导体，而单层MoS2是带隙为1.8 eV的直接带隙半导体[8，9]，能更好地吸收可见光.

低维MoS2受量子束缚效应的作用，展现出奇特的光、电、磁及催化性质，在纳米器件、纳米新能源、纳米催化等领域具有潜在的实际应用价值，已经成为当今纳米材料研究的前沿和热点.对于二维MoS2沿纵向切割时可形成准一维MoS2纳米带(MoS2NRs)，根据其边界结构特点，可形成扶手椅型纳米带(AMoS2NRs)和锯齿型纳米带(ZMoS2NRs)，但两者表现出了完全不同的电、磁性质，锯齿状MoS2纳米带(ZMoS2NRs)是具有铁磁性(FM)边缘态的磁性金属[10]，而扶手椅型MoS2纳米带(AMoS2NRs)表现为非磁性半导体，其带隙随纳米带宽度增加而增加，并从间接带隙转变为直接带隙[11].说明MoS2纳米带电、磁、输运等性质依赖于边缘态[1，2].然而在样品的制备过程中，缺陷不可避免，其中S空位最为典型.潘等人发现，对有空位的ZMoS2NRs边缘进行修饰时，能够使其从金属性质变为半金属性质[12].所谓半金属材料是指在一个自旋通道上表现出金属特性，在另一个自旋通道中表现出绝缘体性质.半金属材料……