陶思祺，张继军，王淑蕾，秦美琪，邱攀辉，宋晓龙

(上海大学材料科学与工程学院，上海 200444)

0 引 言

CdZnTe晶体具有高的原子序数、高载流子迁移率、高电阻率以及禁带宽度随Zn含量可调等优点，是极具前景的室温X射线、γ射线探测器材料。CdZnTe核辐射探测器具有很高的探测效率和能量分辨率，可在室温下工作[1]。而且这种半导体探测器易于加工成像素阵列探测器,配合集成信号读出电路可制成安全、高效、高分辨率的X射线成像装置。目前CdZnTe探测器广泛应用于各种常见的辐射探测领域，包括安检、工业检测、空间探测和医疗成像等[2]。

电极制备是CdZnTe核辐射探测器的关键环节。电极接触将会直接影响到探测器的漏电流、载流子输运、电场分布等方面，这些因素都将间接地决定探测器的分辨率和灵敏度的高低[3]。因为CdZnTe晶体中空穴的迁移率和寿命的乘积低、空穴电漂移速率慢，导致探测器阴极收集电荷较慢且收集不全，会对CdZnTe探测器的响应时间和能量探测效率造成消极影响，因此，通常选取n型CdZnTe作为探测器的材料，这就需要探寻相对于n型探测器合适的电极材料。考虑到CdZnTe与电极接触处有较高的表面态密度，加上偏压后会使得表面态的电子和CdZnTe的空穴发生复合，需要考虑两个方面的因素：(1)是否具有欧姆接触；(2)是否具有较低的金属-CdZnTe界面的肖特基势垒高度(SBH)，因为过高SBH会因为极化效应而降低收集效率，所以低的肖特基势垒高度是保证CdZnTe探测器正常工作的必要条件[4]。

目前国内外主要通过对金属电极材料种类的选择、CdZnTe晶片表面处理、表面平整度改善等方式来降低势垒和提高欧姆特性。……