王继扬

殷绍唐先生所著《晶体生长微观机理和晶体生长边界层理论模型》一书由科学出版社在年前出版了，尽管早已读过这本书的初稿，出版后重学此书，还是收获和感慨良多。

功能晶体是现代高技术发展和许多重大工程所不可或缺的重要基础材料。我国的光电功能晶体研究和发展自20世纪50年代中期起步，20世纪70年代后走上独立自主发展的道路，阴离子基团理论的提出，偏硼酸钡(BBO)、三硼酸锂(LBO)和氟硼铍酸钾(KBBF)等“中国牌”晶体被发明，在国际首创的“介电体超晶格”理论和实际成果称誉天下。此外，还发展了“双元基团理论”和“负离子配位多面体”模型等晶体设计方法，特别是称为“闵氏亚台阶理论”的晶体生长缺陷机制理论在国际上具有重要地位。几十年来，我国的半导体、激光、非线性光学、闪烁和压电铁电等晶体材料的发展，为国家科技进步和人民生活水平的提高做出了巨大贡献。随着国民经济和科学技术的发展，对功能晶体的要求越来越高，加之各种类型的新概念晶体层出不穷，相应的晶体生长体系也越来越复杂。对于复杂成分晶体生长体系而言，原有生长理论模型往往缺乏晶体生长实际过程中微观结构演化的实验支撑，因此难以应用于晶体生长实践，这在很大程度上与研究工作者受到自身条件和仪器限制有关。当今时代，精密机械和计算机技术已经可以为晶体生长提供优良装备和精确温度控制，也发展了微观结构观测新技术，为研究晶体生长微观机理和完善晶体生长工艺创造了条件。……