王 坤，张 涛，王 建，夏 龙

(哈尔滨工业大学(威海)材料科学与工程学院，威海 264200)

0 引 言

轻质高强的碳(C)纤维具有很多优点而常被应用于航空航天材料[1]，而单一C纤维氧化稳定性较差，且温度高于500 ℃，在氧化气氛下，极易发生氧化[2]，限制了C纤维在一些苛刻条件下的应用。为提高C纤维抗氧化性，常在其表面制备涂层，所以抗氧化、强吸波性能涂层的研发受到了科研工作者的关注。

SiC作为一种宽带隙半导体材料[3]，在10-3～10-4Ω·m范围内电阻率可调，具有高击穿场强、高饱和载流子漂移速度和高导热性。SiC纤维凭借其高模量、高强度、强抗蠕变性[4]、与基体相容性好以及耐高温、抗氧化等优点，阻止氧气进入与C纤维基体发生氧化，从而增强抗氧化性[5-6]，被视为陶瓷基复合材料最理想的增强相材料。此外，碳纤维作为一种常见的介电损耗材料[7-8]，成本相对SiC纤维较低，然而碳纤维作为吸波材料存在吸收频带窄、阻抗匹配性差等问题[9]，SiC与碳系材料具有良好的化学物理相容性和相近的线膨胀系数，可以弥补碳纤维以上两种缺陷，因此，本文提出了制备SiC/C纤维复合吸波材料的工艺。

国内外虽很多方法已经制备出SiC/C纤维包覆材料[10-11]，但对C纤维外的SiC纤维层厚度的影响因素研究较少，且影响SiC层厚度因素以及其影响机理还尚不清晰，活性碳纤维转化法[12-13]使用硅粉与C纤维作为原料进行反应，如何在纤维表面制得SiC，受什么因素影响还尚不明确。

本文利用碳纤维活性转换法，在熔岩法和蒸镀法的对比条件下，以碳纤维为碳源原位生长形成壳核结构SiC/C纤维包覆结构，研究温度、保温时间对制备的壳核结构样品抗氧化性与吸波性能的关系，寻找最佳的抗氧化性与吸波性能和工艺条件的关系。……