陈欣琦，伍建建，肖梦婷，张 鑫，陶金萍，吴 莎

(湖北第二师范学院 a.物理与机电工程学院；b.湖北省环境净化材料工程技术研究中心 ，武汉 430205)

1 引言

过渡金属硫族化合物因其具有独特的结构和新颖的性能而得到了广泛的应用，从能量转换/储存到生物医学领域，都引起了人们的广泛关注[1]。尽管其化学公式简单，但块状和纳米级铜硒化物都具有非常复杂的晶体结构(例如：四方结构、正交结构和立方结构)和可变组成，为热电转换、锂离子电池、光催化、量子点敏化太阳能电池和光声成像等多种应用提供了的丰富性能[2]-[4]。纳米尺度的硒化铜具有较大的比表面积、较高的表面原子比和量子限制效应，具有一些特殊的性能。例如化学计量比的硒化亚铜(Cu2Se)纳米粒子，很容易被氧化成非化学计量比的Cu1.8Se，并成为良好的p型半导体，电导率增强了3000倍左右[5]。为了调整纳米铜基硒化物的性能，研究者们开发了一些合成技术和策略，如超声化学法、电化学沉积法、微波辅助路线、球磨技术和化学焊接方法，以制备纳米晶、纳米管/线、纳米颗粒、树状大分子和纳米片，并且具有可调控的尺寸、形貌、晶体结构和组成[6]-[11]。与零维(0D)和块体纳米结构相比，一维(1D)半导体纳米结构具有许多独特的特征，包括不对称结构、本征极化各向异性、宏观长度、能带和/或弹道输运等。纳米线中的电子是横向限制的量子，因此占据的能级不同于传统的连续能级或能带。在块状类似物中发现一维半导体纳米结构在制备各种光学和电子纳米器件方面显示出巨大的潜力。……