一种基于SiGe工艺的DDS用并串转换电路设计
2021-03-26王硕齐贺飞王鑫
电子元器件与信息技术 2021年11期
王硕,齐贺飞,王鑫
(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050001)
0 引言
随着通信频段从3G时代向4G时代迈进,无线通信的频率达到了一个新的高度,对更高频的数模转换器和频率合成器需求日益旺盛,通常采样更新频率要求都在1GHz以上,由于目前单通道数字频率合成器已经逼近当前工艺下的理论极限,为了满足对更高频段的时钟进行直接合成,突破单通道数字电路时钟频率的限制,提高性能指标,多路合成数字频率合成器应运而生。
1 延迟锁相分频器设计
SiGe工艺中的NPN三极管的截止频率性能优越,而DAC(Digital to Analog Converter)的性能直接影响到输出频率的范围,由于奈奎斯特采样定理限制,DAC输出信号的频率不能超过时钟频率的一半。为了实现更高的无杂散动态范围等性能考虑,输出频率最多不能超过33%的时钟采样频率,因此为了提高DDS(DirectDigital Synthesizer)输出的范围[1],应首先尽可能地提高数字信号的频率。由于模拟电路的稳定性、精度、功率等系统要求,并出于降低成本、高性能等考虑,芯片工艺节点受限制较多,目前能满足要求的电路只能选择0.35um的工艺节点[2],在相对成熟的工艺节点下,由于性能限制,DDS 的查表电路存储器电路的设计只能实现150MHz的时钟频率,而通过八个子通道合成,最高可以实现1.2GHz的数字信号刷新率,最高输出频率可达400MHz。因此采用0.35um SiGe工艺成为目前设计高速低成本DDS电路的最佳选择[3]。
本文提出了一种方案,将八个子通道的数字电路实现DDS的查表功能,通过并转串电路实现八通道的时间交织。……
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