吴彤熙 ，高宝红 , ，郑晴平 ，王玄石 ，曲里京 ，檀柏梅

（1.河北工业大学电子信息工程学院，天津 300130；2.河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室，天津 300130）

近年来，集成电路(IC)行业发展水平成为国际上衡量国家综合国力的重要指标，芯片制造工艺一直是行业发展的制约因素。截至2019年年底，国内已经实现14 nm FinFET(鳍式场效应晶体管)的量产，12 nm工艺也在不断突破中[1]。如此小的特征尺寸需要晶圆互连结构中的每一层都具有高度的平坦化，化学机械抛光(CMP)是目前公认可以提供全局和局部平坦化的加工方法[2]。CMP协同化学与机械作用，通过抛光液与表面的化学反应使材料表面柔软，再结合机械磨削去除，同时机械作用带来的热量又会加速化学反应，致使协同作用远大于简单结合[3]。由于高机械强度会对介质造成损伤，因此化学作用成为目前CMP材料去除速率和表面微缺陷控制的主导因素，研究的热点也集中于化学反应的作用与机理[4]。CMP中反应的本质是电化学腐蚀，电化学方法中电极加电解质的测试体系与CMP中材料与抛光液的反应体系相似，通过电极电势和电流的变化可以反映体系的热力学和动力学信息，是研究反应过程和机理的有力工具[5]。

电化学是一个庞大的体系，经过长期发展已形成了不同的测试方法。本文将结合理论与近几年国内外学者的应用，讨论CMP研究中最常用的电化学测试技术，涉及布线、阻挡层、插塞等材料。

1 电化学测试技术的应用……

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