郑永军， 狄韦宇， 罗 哉

(中国计量大学 计量测试工程学院，浙江 杭州 310018)

1 引 言

化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)集化学腐蚀与传统机械研磨于一体，是目前最佳也是唯一可以实现薄膜抛光与全局平坦化的技术，其改进将直接影响集成电路技术的发展[1,2]。目前CMP终点检测主要分为离线终点检测和在线终点检测。其中离线终点检测是根据不同产品，对样品进行试验抛光确定抛光时间与速度的关系，以此为基础进行CMP抛光。但是CMP抛光过程中，抛光垫温度、抛光液残留等均会造成二次影响，所以离线法实施简单但存在精度不高的现象。在线终点检测是目前发展趋势。然而CMP中硅片被抛光表面完全向下靠在抛光垫上，使得在线实时监测十分困难。目前这方面的研究大多基于摩擦力、温度、电机电流、声学膜厚追踪、光学等原理[3]，但存在计算速度不够快的现状，或对薄膜材料有一定要求。光学法可以适用于大多数的绝缘薄膜或多晶硅抛光后的薄膜，且精度高，发展前景广阔。终点检测是CMP中重要的一环，终点判定过早则造成欠抛，判定过晚则造成过抛，都影响成品率，因此实时的终点判定对时间的要求性极高，如何快速进行终点检测是一大难题。

遗传算法(genetic algorithm，GA)是模拟自然界遗传机理的一种全局搜索方法[4]。GA不依赖初值，鲁棒性强，广泛应用于非线性实际问题，但变量过多时导致解空间过大，易早熟，局部搜索能力弱[5]。Güngör T和Saka B[6]将遗传算法应用于反射光谱法，将计算得到的折射率n、消光系数k与实际值相比较，误差小于0.1%。……