周文 束名扬 兰翔

摘 要 掩膜版在生产、使用和保存的过程中，均有可能产生缺陷。掩膜版上缺陷的存在，会直接影响到每一个芯片的性能，严重者可能会造成整批晶圆的报废。本文主要讨论掩膜版的缺陷类型与来源，并通过掩膜版修补技术消除硬缺陷，通过清洗技术消除软缺陷。

关键词 掩膜版;缺陷;RCA清洗;UV+O3

引言

掩膜版，也称光罩，是微电子制造领域中联系设计和制造的中间环节，是通过光刻工艺实现图形转移的膜版，通过曝光的方式，将掩膜版所承载的设计图形转移到晶圆上。光刻工艺中，每一层加工工序都需要对应的掩膜版，在大规模集成电路中，由于集成度越来越高，通常需要多层的设计图形进行叠加，才能实现相应的功能。掩膜版一旦产生缺陷，缺陷会重复传递到每一个芯片或者晶圆上，直接影响光刻工艺的良率，甚至造成整批产品的报废，因此掩膜版缺陷的消除对质量的提升有着重要的意义。

1掩膜版缺陷分类与来源

1.1 掩膜版缺陷分类

掩膜版缺陷有很多种，常见类型见图1，一般分为硬缺陷和软缺陷[1]。硬缺陷无法采用清洗的方式去除，它是图形的缺陷。常见的有遮光材料的缺失（例如针孔、裂口）、遮光材料的多余（例如小島、突起）、玻璃划伤等。

软缺陷，通常称为污染缺陷，它可以采用清洗的方式消除。常见的软缺陷有指纹、灰尘、水迹或化学污染斑迹等。在光刻工艺的曝光过程中，污染缺陷会改变光线的透射，造成需要曝光的地方曝光能量不足或者未曝光，从而影响光刻的良率。……