摘 要：本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的小信号等效电路结构，并提取了等效电路结构的元件参数值，并进行了模块的S参数模拟S参数模拟。最后，将模拟结果与测试数据的差异进行比较。分析了所产生的器件模型的误差，论证了内置小信号模型的良好性能。

关键词：小信号模型；电路結构；仿真

DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.24.109

近年来，快速增长的无线通信市场已经看到消费者对低功耗和低成本接收器芯片组的需求日益增长。

现在，全球研究的主流方向就是射频集成电路，并应用CMOS技术将射频和数字基带同时集成于同一个芯片。然而，MOSFET存在一些不足，如速度慢，截止频率低，噪声大等，以及CMOS技术在高损耗衬底方面的缺点，现有的RFIC应用面临许多挑战。同时，仿真软件中的MOSFET器件也存在高频小信号模型不完整，和噪声模型不准确等缺点，高频参数离散化等。因此，很有必要提高设备的高频噪声模型的准确性。为了改善MOSFET开关的小信号模型，并解决高频参数中产生的离散问题，文中提出一种等效电路结构，可以使S的最终参数的模拟结果与实际信息更加接近，作为RFIC使用MOSFET器件的基石。

1 电路设计

在电路设计中，最终系统的精度主要由参与构成的器件小信号模型的精密度决定。快速设计电路时，准确的小器件模型可用于优化整个电路设计并缩短电路设计周期。小型交换信号模型的设计中，设备模型的准确性主要由模型的结构所决定。

1.1 等效电路结构的优化