陈　亮，周朝锋，李晓波（1.上海交通大学，上海0040；.中芯国际（上海）集成电路股份有限公司，上海01507）



NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

陈亮1，2，周朝锋2，李晓波2
（1.上海交通大学，上海200240；2.中芯国际（上海）集成电路股份有限公司，上海201507）

随着移动终端的大量普及，存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点，在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析，整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性，浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进，改善浮栅和控制栅物理结构，防止写入失效，从而得到最佳的良率。

NAND；Flash工艺制程；浮栅；控制栅；干法蚀刻；良率

1　引言

随着苹果的智能手机（iPhone）及智能移动终端（iPad）的成功，以及安卓（Android）的流行，智能移动终端迅速普及。它已经取代PC成为IT领域发展最快并且最大的市场。与CPU、显示器一起，存储器已成为智能终端的3个核心器件之一，占据着重要的战略地位。与此同时，IT市场一个重要趋势是固态硬盘（SSD）取代传统硬盘（HDD）。因此核心闪存存储（Flash Memory）技术是现在所有存储器中发展最快的核心技术。世界第一大存储器厂商韩国三星斥巨资300亿美元在西安建立最新一代NANDFlash生产线，生产64Gb及以上的高容量产品，即为抢占高容量SSD市场。

许多大厂如东芝、美光、海力士等，纷纷涉足NAND Flash晶圆……