冯喆韻，马千成，汪　铭（中芯国际集成电路制造有限公司，上海 201203）



0.18 μm完全隔离型低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS研究

冯喆韻，马千成，汪铭
（中芯国际集成电路制造有限公司，上海 201203）

介绍一组基于0.18 μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10～30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型，因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化，最终得到性能良好的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。其导通态电阻（Ron）为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～20 V，21 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～41 V。

LDMOS；低导通态电阻；完全隔离型

1　引言

功率集成电路（Power IC）是指将功率器件、控制电路、信号处理和通信接口电路等集成在同一芯片中的特殊集成电路。随着技术的不断发展，功率集成电路处理电流能力越来越强，系统集成度也越来越高，目前已被广泛应用于通信与网络、计算机与消费电子、工业与汽车电子等诸多领域。

近年来，功率集成电路应用对于降低成本、缩小面积和提高集成度方面的需求越来越高［1，2］。因而不断降低LDMOS的导通态电阻（Ron）是我们努力的一个主要方向。我们都知道LDMOS的击穿电压（BV）和导通态电阻（Ron）之间有着很强的制约关系，单纯地通过物理尺寸的变化得到低导通态电阻（Ron）的同时击穿电压（BV）也会随之减小。同理，提高击穿电压（BV）的同时导通态电阻（Ron）也会随之增大［3，4］。所以很多人都致力于用各种方法来突破击穿电压（BV）和导通态电阻（Ron）的极限关系［5］。

本文所述0.18 μm BCD平台与0.18 μm逻辑平台兼容，可同时提供应用电压为10～30 V的高压器件，平台中的NLDMOS为完全隔离（fully isolated）型。……