刘士全,徐超,秦晨飞,王健军(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035)

一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

刘士全,徐超,秦晨飞,王健军
(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035)

介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法.对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试.通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价.

∶CMOS器件;长期贮存;试验方法;数据处理

1　引言

电子产品的应用领域愈加广泛,有些电子产品的应用要求有一定的贮存期限(3年、5年或更长),有些设备要求储备一定量的产品和配套的电子元器件,并保证随时正常使用.这就对电子元器件的贮存寿命提出了要求.国内对电子元器件贮存寿命的研究已有所报道,但大多限于理论分析.随着市场经济的发展和技术的成熟,长期贮存寿命的评价对商用产品的意义不容忽视.

军品方面,长期贮存寿命要求更为迫切,现代军用装备在和平时期必须有一定的储备,长期贮存后在使用时必须保持完好的战技性能.因此要求组成武器装备的各个元器……