陈培仓,徐政,李俊(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035)

CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

陈培仓,徐政,李俊
(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035)

WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验.随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效.设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能.

CMOS;WAT;等离子体;损伤;半导体工艺

1　引言

随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,比如等离子体刻蚀、等离子体增强式化学气相淀积、离子注入等.它具有方向性好、反应快、温度低、均匀性好等优点.但是它也同时带来了电荷损伤,随着栅氧化层厚度的不断降低,这种损伤会越来越影响到MOS器件的可靠性,因为它可以影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数[1～3].

尽管已有大量关于等离子体损伤方面的研究报道,讨论了主要的损伤机制以及可能发生的工艺步骤,目前对于等离子体损伤的……