申 猛，孔 明，吴会利

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

双层布线技术研究

申 猛，孔 明，吴会利

（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）

随着集成电路技术的发展，双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索，通过对反溅射时间、反溅射功率等不同工艺参数的对比实验，给出了最优的反溅射清洗工艺条件。

双层布线；反溅射；欧姆接触

1 引 言

随着超大规模集成电路的不断发展，对器件的性能和集成度的要求不断提高，双层布线技术已经显得越来越重要。在双层布线中，两层金属间的通孔接触电阻的大小是衡量双层布线好坏的重要指标之一，而淀积第二层金属前通孔的清洗是影响接触电阻大小的主要因素，因此，研究通孔的前清洗技术有着重要的意义。

2 实验原理及过程

实验主要是在Varian 3180磁控溅射台上进行的。此设备具有反溅射清洗功能，硅片进入大腔后，离化后的Ar＋经过电场加速，直接轰击到硅片表面，将其表面的Al2O3、SiO2等有效去除。反溅射清洗结束后，硅片在高真空状态下直接进行二次金属淀积，避免清洗后硅片在二次淀积金属前的沾污。

首先在硅片上热生长900nmSiO2，溅射第一层金属700nm AI－SI－CU，刻蚀AI后形成图形，然后淀积1200nmPESiO2进行平坦化工艺，刻蚀接触孔。孔的尺寸为4μm×4μm，再进行反溅射清洗、溅射第二层金属1200nm AI－SI－CU，刻蚀AI后形成最终的图形，如图1所示。最后进行420℃合金后用探针及图示仪测试串联孔的接触电阻。……