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太阳能晶硅电池片印刷工艺及工艺物化初步研究

2012-09-16赵立华易辉费玖海吕磊张建亮任晓庆

电子工业专用设备 2012年10期
关键词:工艺

赵立华,易辉,费玖海,吕磊,张建亮,任晓庆

(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176)

1 太阳能电池原理和分类

1.1 按技术成熟程度分类

1)晶硅电池:单晶硅,多晶硅。

2)薄膜电池:a-Si,CIGS,CdTe,球形电池,多晶硅薄膜,有机电池。

优点:资源丰富,环境安全;电池/组件一次完成,生产程序简单。

缺点:效率低,不稳定—光衰减。

3)新型概念电池:量子点、量子阱电池,迭层电池,中间带电池,杂质带电池,a-Si/C-Si异质结,偶极子天线电池,热载流子电池(也称第三代电池)。

1.2 晶硅电池的技术发展

单晶硅电池在20世纪70年代初引入地面应用。在石油危机推动下,太阳能电池开始了一个蓬勃发展时期,不但出现了许多新型电池,而且引入许多新技术:钝化技术、陷光技术、背表面场(BSF)技术、异质结太阳能电池技术、聚光电池等。

多晶硅电池也有长足发展,先进的技术有:采用磷吸杂和双层减反射膜技术、PERL电池技术、PECVD/SiN+表面织构化等。

1.3 向高效化和薄片化方向发展

光电转化效率提高是各种太阳能电池永远的追求,从实验室到工业化生产,在不断的进步。如2009年工业界达到17%,截至到目前以18.5%左右的效率成为主流。随着材料和工艺的不断进步,转换效率会不断提高。

与此同时,薄片化也是必须的,实现的技术有两种。硅片减薄:硅片是晶硅电池成本构成中的主要部分。硅—间接半导体,理论上100μm可以吸收全部太阳光。电池制造工艺—硅片厚度下限150μm。降低硅片厚度是结构电池降低成本的重要技术方向之一。带硅技术:直接拉制硅片,免去切片损失。……

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