片式多层陶瓷电容器生产用薄膜流延设备的研究与开发
2012-08-08陈裕锦汤立云梁平
电子工业专用设备 2012年1期
陈裕锦,汤立云,梁平
(广东风华高科新宝华电子设备分公司,广东肇庆 526060)
随着电子信息产业的飞速发展,电子产品对片式电子元件的需求越来越大、要求也越来越高。片式多层陶瓷电容器具有高比容、高可靠性、频率特性好等特点,广泛应用于电子信息、计算机、自动化控制及通讯等领域。
如何在 0805、0603、0402、0201 等小尺寸基础上制造更高电容值的MLCC,一直是MLCC业界的重要课题之一。近几年随着材料、工艺和设备水平的不断改进提高,日本有关公司已在2 μm的薄膜介质上实现了叠1000层介质的工艺,生产出单层介质厚度为1 μm的100 μF MLCC,它具有比片式钽电容器更低的ESR值,工作温度更宽(-55℃~125℃)。
在国内,相应的研究开发工作起步较晚,而且在技术的掌握和突破能力上明显落后于发达国家,MLCC工艺装备的研制及开发还处于空白状态,基本上依赖进口。因此,通过引进先进生产线并对其设备国产化,研究开发具有自主知识产权的电子专用设备已经成为一项紧迫的任务。
1 MLCC产品结构及制作流程
MLCC是由陶瓷介质和金属电极交互叠层构成的多层陶瓷电容器(见图1)。其中交替又不相连的内电极分别与两端的外电极相连形成多个电容器的并联结构。早期金属电极由贵金属银、铂和钯等构成,在20世纪末全世界开始采用贱金属镍、铜取代银、钯,大大降低了MLCC的成本。
从MLCC构造来看,似乎MLCC的制造很简单,但是实际制造过程很复杂,制造步骤很长、难度很大。
MLCC产品制作主要包括陶瓷介质薄膜成型、内电极制作、电容芯片制作、烧结成瓷、外电极制作、性能测试、包装发货等工序。……
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