寇雅娟

(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220)

微电子技术的发展对半导体抛光片的表面洁净要求越来越高，为了保证洁净抛光晶片不受到二次污染（颗粒、金属离子及有机沾污等），应该对晶片包装盒的洁净度实施严格控制，其清洗技术是影响晶片洁净度的重要因素[1]。

1 实验部分

利用Lotus公司生产的Ilios片盒清洗机对100 mm（4英寸）包装盒进行清洗，变换清洗时间、温度和添加剂，清洗后的包装盒进行目测检查。事先测量过表面颗粒前值（利用Topcon公司的WM-7S表面分析仪）硅抛光片装入清洗后的包装盒，真空包装防潮袋，做48 h传输模拟，取出晶片测量表面颗粒净增值。

2 温度对片盒清洗的影响

清洗过程中，片盒被固定在金属梯架上，并在清洗机腔体内高速旋转，去离子水在不同角度对包装盒进行喷淋，如图1所示。

图1中的结构图可以看出，清洗过程中片盒的温度取决于清洗机腔体温度和喷淋去离子水的温度，前者通过紧贴在腔体内壁的加热器来控制，后者通过水箱中的加热器来控制。实际工作中，通常利用改变去离子水的温度来调节片盒的清洗效果。

图1 片盒清洗机结构示意图

图2给出了不同去离子水温度清洗后的包装盒对晶片表面的影响。

图2 晶片表面在包装盒内的颗粒净增情况

由图2可以看出，在不同清洗温度下，包装盒内晶片表面0.3 μm以上的颗粒没有特别明显的变化，这可以说明如果晶片表面颗粒要求的粒径在0.3 μm以上，则市售的包装盒可以“开盒即用”，不需要做清洗处理。……