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湿法刻蚀制备铌酸锂锥形脊波导

2022-04-21谷珍杰温旭杰张维佳华平壤饶前程

天津科技大学学报 2022年2期
关键词:晶片

谷珍杰,温旭杰,张维佳,华平壤,饶前程,黄 颖

(1. 天津科技大学电子信息与自动化学院,天津 300222;2. 中电科技德清华莹电子有限公司,湖州 313000;3. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072)

随着“集成光学”[1]概念的提出和发展,人类正式进入光通信[2]时代.集成光学器件的性能主要依赖于核心光波导的传输性能和调制性能,以及波导光纤互连时耦合损耗对性能的影响.铌酸锂晶体具有优良的声光、压电以及非线性光学特性,利用薄膜结构可以更好地限制声表面波的传输.因此,在铌酸锂薄膜材料上制作波导,不仅可以充分利用材料的性能,还能利用其结构上的优势进一步提高器件的调制效率.人们通常采用刻蚀工艺在铌酸锂薄膜上制作脊波导[3–4],与传统的扩散型沟槽波导相比较,脊波导有效地减小了弯曲损耗[5],提高了光学器件的集成度.脊波导的引入不仅减小了光学模式的尺寸,提高晶体非线性效应的效率,还有效地降低铌酸锂电光调制器的半波电压[6].尽管铌酸锂脊波导有上述很多优点,但由于波导尺寸减小,模场直径也随之减小,与普通单模光纤的模场直径存在严重的失配,最终导致集成光波导器件的插入损耗过大.此时,锥形结构[7-9]可将尺寸不匹配的波导和光纤进行高效地连接,因此,锥形脊波导可降低波导和光纤的耦合损耗.

现有脊波导的刻蚀工艺只能实现水平方向波导尺寸的调节,深度方向的波导尺寸是由薄膜的……

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