半导体CdS 荧光量子点的电离辐射制备及其研究进展
2021-12-31赵媛宋晓芳杨金玉王亚洋刘东亮饶璐李月生
赵媛 宋晓芳 杨金玉 王亚洋 刘东亮 饶璐 李月生,3
1(武汉科技大学化学与化工学院 武汉 430074)
2(湖北科技学院辐射化学与功能材料湖北省重点实验室 咸宁 437000)
3(咸宁市高新水凝胶敷料产业技术研究院 咸宁 437000)
半导体纳米材料因其具有优异的光学和电学性能而受到科研工作者的广泛关注和深入研究[1]。CdS 量子点属于II-VI 族材料,其能带隙为2.42 eV,是一种典型的半导体无机晶体,CdS 量子点的纳米尺寸为2~10 nm。由于其独特的光学和电学特性,在太阳能电池、晶体管、光催化、生物成像、纳米医学、分子病理学、抗菌活性和药物传递等领域具有广泛的应用前景[2]。为了有效制备CdS荧光量子点(Quantum dots,QDs),科学家们做了大量的探索,许多成熟的制备方法陆续被科研工作者们发现,如生物法[3]、溶剂热法[4]、水热法[5]、模板法[6]、溶胶-凝胶法[7]、微乳液法[8]、超声合成法[9-11]等,表1列举了CdS QDs的几种制备方法及其优点和应用领域。

表1 CdS QDs的几种制备方法和应用Table 1 Several preparation methods and applications of CdS QDS
在上述制备方法中,溶剂热法和水热法是制备CdS QDs 最常用的方法,近几年发展起来的电离辐射制备方法由于其能量利用率高、可利用的能区宽、电子流聚束性能好、操作简单、使用安全、无环境污染等优势,广泛应用于制备高分子材料、纳米晶金属、合金、金属氧化物、复合材料和金属硫化物[12-13]。电离辐射法(电子束(EB)或γ 射线辐射)是在室温条件下制备半导体CdS QDs 的一种重要方法,具有无化学污染、低毒、快速易行等优势[14-15]。本文拟对CdS QDs 的电离辐射制备方法及其应用进行综述。
1 CdS荧光量子点的电离辐射制备
1.1 γ射线辐射制备
γ射线辐射法作为一种新兴的合成方法已经广泛应用于制备纳米晶金属、合金、金属氧化物、复合材料和金属硫化物[16]。……
