朱 璟，江宏锋，张兆邦，汪宝和

（天津大学 化工学院 绿色合成与转化教育部重点实验室，天津 300072）

半导体芯片作为信息产业的基础，已经成为基础性战略性产业。大规模集成电路和高速高容存储芯片是IT 行业的核心，随着电子工业的不断发展，在其加工过程中，刻蚀线宽要求越来越窄。刻蚀技术的核心是等离子刻蚀剂的研发，全氟丁二烯（C4F6）是新一代性能优良的集成线路刻蚀气体[1-3]，它不仅可以对小于90nm 甚至更窄宽度的超大型集成线路进行干刻蚀，具有高选择性和高精确性，更适合于高深宽比的刻蚀工艺。全氟丁二烯在0.13μm 技术层面有许多刻蚀上的优点[4,5]，它比C4F8有更高的对光阻和氮化硅选择比，在使用时可以提高刻蚀的稳定性，提高刻蚀速率和均匀度，从而提高产品优良率。全氟丁二烯还具有非常低的温室效应（GWP 仅为290，在大气中2d 即可完全分解）[6]，对臭氧层危害性小，是一种环境友好的干刻蚀气体。

制备六氟丁二烯的方法有很多种，其中能够实现工业化生产的路线按原料与反应步骤数可分为以下4 种：（1）以1,2-二氟二氯乙烯作为原料，经过4 个步骤，最终合成全氟丁二烯；（2）以三氟氯乙烯为原料，经3 个步骤，最后合成了全氟丁二烯[7-9]；（3）以三氟溴乙烯为原料，经过两步反应，制得全氟丁二烯[7,10]；（4）以四氟乙烯为反应原料，通过二步反应制备，得到全氟丁二烯[11,12]。这4 种合成路线根据原料的来源与反应过程的难易程度各有其优缺点。前两种工艺路线原料易得，但由于合成过程中存在氯氟烃，对环境污染较大。……