李秀梅

（上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 200093）

石墨烯具有众多优异特性，如高电子迁移率、高热导率以及大比表面积等，因此在许多领域具有广阔的应用前景。在目前已知的材料中，石墨烯的电子迁移率最高，可达到15 000 cm2/(V·s)[1]，这使其可以制备成超导材料[2]应用于航空航天、新能源电池等领域。石墨烯的导热系数可达5.3×103W/(m·K)[3]，优异的热导率决定了石墨烯适用于各种电子设备，可以为电子设备提供良好的散热性能。此外，石墨烯的二维平面结构赋予其大的比表面积，可提供大量的附着位点用于吸附纳米粒子，制备出性能更优异的石墨烯基复合材料，应用于微纳器件、增强材料等领域。

然而，在石墨烯的制备或加工过程中不可避免会产生结构缺陷，结构缺陷的存在使石墨烯的实际性能远低于其理论值，进而对石墨烯及石墨烯基复合材料的导电、导热及力学性能等产生不利影响。因此深入研究石墨烯中的结构缺陷对进一步完善石墨烯基纳米工程具有重要意义。

近年来，石墨烯结构缺陷的研究主要集中于各类型缺陷对石墨烯导热性能影响[4]，而缺陷对石墨烯导电性能、化学性能的影响研究较少。此外，石墨烯结构缺陷修复的研究多集中于利用外加碳源修复化学气相沉积法制备石墨烯过程中产生的缺陷，但缺陷修复的机理尚未明确。因此，本文除归纳石墨烯结构缺陷的主要类型外，还介绍了结构缺陷对石墨烯导电性能、化学性能等的影响。……