徐 浩，宋恩敏，卞 达, 2，赵永武, 2

(1.江南大学 机械工程学院，江苏 无锡 214122)(2.江苏省先进食品制造装备技术重点实验室，江苏 无锡 214122)

铜具有更低的电阻率、RC延迟以及优越的抗电迁移性能，已经取代铝成为集成电路的主要互连材料。然而，凹陷和过度腐蚀是铜化学机械抛光时的主要挑战。因此，铜缓蚀剂的研究尤为重要[1]。

苯并三氮唑(benzotriazole,BTA)是铜化学机械抛光最常用的缓蚀剂，其缓蚀效果良好，成膜作用强，而Cu-BTA膜需要较大机械力才能去除。加大机械力获取高去除率易对Cu和易碎的低k介质造成破坏，难以满足工业生产时的铜的低压、高去除率抛光需要，且BTA在铜表面的附着力也很差，长期使用是有毒的[2]。

1,2,4-三氮唑(TAZ)是最近发现的环保型铜的缓蚀剂。JIANG等[3]利用接触角、电化学以及XPS试验对TAZ的缓释效果进行研究，发现TAZ能在铜表面形成弱缓蚀薄膜，但其缓蚀效果比BTA弱，且在双氧水体系的抛光液中，TAZ在铜表面的吸附性较好，残留缓蚀剂也易于清洁，是一种铜的环保型弱缓蚀剂。YANG等[4]提出了一种新型铜的缓蚀剂PVP，其具有良好的生物相容性，适应于环保型抛光液的发展需要。利用极化、阻抗等电化学方法研究PVP的缓蚀行为，并将其与BTA进行比较，发现PVP对铜也具有缓蚀作用，但没有研究PVP在铜抛光实际应用中的效果。WANG等[5]将缓蚀剂苯并三氮唑与甲基苯并三氮唑混合使用，发现混合缓蚀剂可以在铜表面通过分子互补填充形成致密表面膜，抛光后可获得较好的表面质量。

因此，通过静态腐蚀、电化学以及抛光试验发现PVP在铜的化学机械抛光中有弱缓蚀作用；……