徐林轩，刘鑫鹏，罗 旺，李 瑞

(齐齐哈尔大学 理学院，黑龙江 齐齐哈尔 161006)

GeH分子的光谱性质在半导体薄膜工业中应用非常广泛，所以多年来一直受到人们的广泛关注。研究者使用脉冲KrF(248nm)的准分子激光对GeH4进行光解[1，2]，从而通过化学气相沉积来生长半导体薄膜。现有的实验研究表明，中间基团GeH、GeH2和GeH3可能影响Ge薄膜形成的反应动力学[2]。GeHn的热化学研究可以为理解Ge薄膜生长中的光解过程提供有用的信息[3]。在先前的实验工作中，对GeH的光谱进行了很好的研究，尤其是对于低能电子态。GeH的可见和近紫外能谱是由Kleman和Werhagen首次观察到的[4，5]，确定了a4Σ-的绝热跃迁能(16 747 cm-1)、转动常数(6.765 4 cm-1)和平衡核间距(1.583 4Å)。同时，Barrow等人[6]观察到另一个紫外线谱带系统。Klynning等人[7]通过谱带进行转动分析，推导出了A2Δ态的垂直激发能(25 454 cm-1)。在90年代初，研究人员通过不同的实验方法测量了GeH分子的基态X2Π的红外光谱，并基于实验光谱中得到X2Π态的光谱参数[8-11]。Erman等人[12]对X2Π和A2Δ态进行理论研究，得到势能曲线，并报道了A2Δ-X2Π的跃迁偶极矩和Franck-Condon因子。

本文将对GeH分子的最低三个解离极限对应的8个Λ-S态的光谱性质开展理论研究。给出了解离极限与电子态的对应关系和解离极限之间的能量差，计算了束缚Λ-S态的光谱常数并列出了主要电子组态及其所占比重。最后给出几个束缚态X2Π、a4Σ-、A2Δ和22Σ+的振动能级信息和激发态跃迁到基态的Franck-Condon因子，为后续进一步实验研究提供理论参考。

1 计算方法

在本工作中，关于电子结构的计算研究是应用量子化学计算程序包Molpro2010[13]中开展。……