张 眯，王从香，王越飞，侯清健

（南京电子技术研究所，江苏南京210039）

引 言

随着电子信息技术的迅猛发展及军用电子装备技战术指标的不断提高，电子整机系统正逐渐朝着小型化、轻量化、多功能、高密度与高性能化的趋势不断发展，对封装基板的布线密度、散热能力、电传输性能、元器件集成密度及长期可靠性等提出了迫切的需求。低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC）技术通过陶瓷生料与导体浆料多层共烧的方式实现了高密度三维电路网络无源组件的制备，利用腔内埋置或表面贴装的方法集成多种元器件，形成多功能化的无源/有源集成的功能模块或电路，有效提高封装密度并缩短芯片导体的互联长度[1]，极大地降低了工艺复杂性与成本，提高了组件的电性能及可靠性，广泛应用于高密度集成模块、大功率模块和微波/毫米波电子模块和整机中[1–3]。

为了进一步降低共烧陶瓷微波基板的制作成本，提高基板散热能力及布线密度，全银浆料体系LTCC基板和高散热氮化铝高温共烧陶瓷（High Temperature Co-fired Ceramic, HTCC）基板得到了越来越广泛的关注与研究[3–4]。HTCC烧结所用的钨和钼属于难熔金属浆料，在低成本LTCC全银导体浆料表面无法直接键合和钎焊，为了实现基板表面高密度元器件及模块的有效装配并提升导体导电能力及可靠性，已烧结基板需要进一步采用化学镀或电镀工艺在金属浆料表面增加镍、金等导体膜层[4–6]。采用电镀工艺在基板表面沉积膜层时，基板表面待镀区域必须具有电导通性，但对于表面布线复杂和孤岛较多的微波基板，若采用电镀的方法进行表面膜层沉积，则必须在布线时增加电导通工艺线，这将具有很大的局限性。……