陈永康，徐 建，郝 萍，张笑旻，李春华

（上海市计量测试技术研究院，上海 201203）

7N 电子级超纯氨（纯度99.99999%）是半导体产业上游关键配套原材料, 也是MOCVD 技术制备GaN 的重要基础材料,主要用于液晶显示（LCD）、有机电激光显示（OLED）和半导体发光器件（LED）等光电子领域, 其质量直接影响材料的光学及电学性能乃至器件的使用寿命, 是产业链发展中一个重要环节。在液晶显示（LCD）、有机电激光显示（OLED）和半导体发光器件（LED）制造的过程中,需要大量超纯氨作为氮源,尤其在LED 芯片生长时氨纯度越高,蓝光LED 的功耗越小,发光强度越大。因此，电子级氨的纯度对集成电路的性能及可靠性有着至关重要的影响，比如其中某些关键杂质元素含量要求控制在0.1μg·kg-1左右[1-3]，这对于电子级氨中痕量杂质元素检测增加了较大难度。

常规的元素测试方法有石墨炉原子吸收（FAAS）、电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）等，此类方法存在不能同时测定多元素、检测限高、基体干扰严重、分辨力低、易产生氧化物以及多原子离子、双电荷离子干扰等问题[4-8]，无法满足电子级氨的检测需求。本文采用高分辨电感耦合等离子质谱仪（HR-ICPMS）标准加入法测定电子级氨中杂质元素，能够有效的消除质谱干扰与基体效应，获得较为准确的检测结果。

1 实验部分

1.1 仪器与试剂

Element 2 型高分辨电感耦合等离子体质谱仪（美国Thermo Fisher Scientific）；ElementQ 超纯水仪（德国Merck）；BT 224S 电子天平（220g，0.0001g 德国Sartorius）；

多元素混合标准溶液：N9300233，N9300234，N9300235，10mg·L-1，美国Perkin Elmer。

1.2 仪器参数

经实验优化调试，高分辨电感耦合等离子体质谱仪参数设置见表1。……