陈东明，苏 锐

（渤海大学 物理科学与技术学院，辽宁 锦州121013）

0 引言

早在1994年，L.V.Panina在CoFeSiB软磁非晶丝的研究中首次发现巨磁阻抗（giant magneto-impedance，GMI）效应［1］.即当非晶丝通过交流电流时，微丝两端感生的交流电压随着所施加的轴向外磁场的变化而显著变化的现象.随后，在Co基和Fe基非晶丝［2］、Fe基纳米晶丝［3］、Co基和Fe基非晶薄带［4］、NiFe、CoP及CoNiFe电沉积复合丝［5-7］、单层、多层、三明治磁性薄膜［8-10］等磁性材料也普遍存在GMI效应，迅速成为研究的热点.而CoFe基非晶丝的GMI效应最为显著，其呈现的性能更适合应用于微型化高灵敏度传感器件.

通常，制备态的非晶丝GMI效应并不明显［11-12］，灵敏度不高，主要源于在微丝成型过程中快速冷却并凝固时微丝径向内部应力残存过大，软磁性能不佳.在经过适当的退火或调制后，能够有效的释放应力，影响微丝易磁化方向与磁各项异性场，改变微丝组织与磁畴结构，可实现GMI性能明显改善.目前，常用的微丝调制方法主要有真空退火、磁场退火、焦耳热退火、应力退火等［13-14］，其中焦耳热退火被认为是最有效改善非晶丝GMI效应的处理方式之一［15］.

非晶丝的GMI效应受到成分、几何形状、测量参数、应力状态、环境温度等诸多因素的影响.研究表明：巨磁阻抗效应的产生与丝材趋肤效应密切相关，磁畴结构和磁各向异性是决定非晶丝GMI性能优劣的根本原因［16-18］.非晶丝的磁畴结构产生于制备过程中磁致伸缩与应力的耦合作用的结果.不同制备工艺参数、不同磁致伸缩系数的磁性材料其磁畴……