骆纬国，甘伟星，周天燊，李 明，杭 弢

（上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240）

基于硅通孔（Through Silicon Via，TSV）的先进封装技术是目前芯片三维封装中的重要技术之一［1］。但随着集成电路不断向着小尺寸和高密度的方向发展，对TSV 中阻挡层的要求也越来越高。在多种扩散阻挡层当中，化学镀Ni-P 因其成本低，操作简单，覆盖效果好而受到广泛关注，在TSV 封装工艺中也有着广阔的应用［2］。

但由于Al极易氧化且形成的氧化物十分稳定，因此在Al 基体上化学镀Ni-P 前需要进行适当的预处理。浸锌法作为预处理方法中广泛应用的一种，通过锌铝之间的置换反应在Al 基体上覆盖一层锌层，从而避免了化学镀过程中Al基体表面氧化物的再生［3］。有研究指出，浸锌法过程中锌层的性质会极大影响化学镀Ni-P 层的质量［4］。而浸锌液成分［5］，浸锌方式［6］，以及 Al 基体的合金成分［7］都会直接影响浸锌过程中锌层的性质，从而对后续化学镀得到的 Ni-P 层质量产生影响。Egoshi［8］等人曾研究了Al 合金中微量元素对浸锌过程中锌层质量的影响，并且提出AlCu 合金中的微量Cu 元素能极大提高锌层的均匀性和密度。但目前文献中主要是针对合金中的Cu 元素对浸锌过程中锌层和后续化学镀过程中Ni-P 层的影响做了研究，而并未对通过含Cu2+的溶液处理来改善锌层和Ni-P 层的方法进行探索。

本文采用化学镀的方法在Al 基表面镀上Ni-P层，并对部分试样在二次浸锌前用含Cu2+的酸性溶液进行处理，比较研究了Cu2+处理对化学镀Ni-P 层的结构，表面形貌以及抗腐蚀性能的影响，为之后提高化学镀Ni-P层的质量提供了新的思路和方向。……