徐泽忠，邹 慧，曹显志，吴 阳，韩成良

(1.合肥学院分析测试中心，合肥 230601；2.东南大学材料科学与工程学院，南京 211189; 3.浙江工业大学化学工程学院，杭州 310006；4.合肥学院能源材料与化工学院，合肥 230601)

0 引 言

随着我国印染和涂料行业的快速发展，工业废水的排放量也急剧增多，废水中的有机染料具有自降解速率极低、生化性质稳定以及具有一定毒性等特征，若不加以处理必然会对生态环境和人类生命健康造成危害[1-3]。利用光催化技术来有效降解工业废水中的污染源已经得到广泛且深入的研究。二氧化硅(SiO2)因具有比表面积较大、化学性质稳定、生物相容性较好等优点常被用作复合载体和模板。石墨相氮化碳(g-C3N4)，作为一种不含金属元素的半导体光催化剂，具有高热稳定性、良好耐酸碱和耐光腐蚀性能、较高光催化活性等性能，带隙宽度在2.8 eV左右，优异的理化性能和独特的电子能带结构使g-C3N4在光催化降解染料方面具有重要的应用价值。然而，纯g-C3N4的比表面积较小，光生电子和空穴对复合速度快，量子效率较低，限制了其光催化性能。活性吸附位点缺乏和光催化效率不高往往是限制单相光催化剂广泛应用的壁垒[4]，具有可见光响应的半导体复合光催化剂能够克服某些单相光催化材料的一些本征缺陷。因此，如何有效利用g-C3N4是材料科学工作者一直研究的热点。近期，将光催化性能优异的g-C3N4半导体与其他材料相结合形成复合材料的研究较多。例如，研究发现通过静电相互作用制备的SiO2/g-C3N4复合材料具有优异的可见光吸收性能和电化学性能[5-6]。……