论双向瞬态电压抑制二极管产品结构设计
2021-09-10昝超鑫
科教创新与实践 2021年16期
昝超鑫






摘要:半导体器件的设计决定着产品生产后的可靠性。在进行产品设计时需要具有一定的前瞻性,并与产品的生产工艺相结合,才能保证生产的产品的高可靠性。双向瞬态电压抑制二极管产品在交流电路中,可以吸收正反两个方向的瞬时大脉冲功率,应用十分方便,被广泛选用。如何对双向瞬态电压抑制二极管进行正确的结构设计,对产品是否具有高可靠性至关重要。
1引言
瞬態电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode,简称TVS)在各种电子线路中作保护作用。当电路中突然出现大脉冲功率时,TVS工作阻抗可以降低到允许大电流通过,并把电压箝位到一定水平,从而避免电子线路中的精密元器件损坏。双线TVS多应用于交流电路,单向TVS多应用于直流电路。
从特性曲线上看,双向TVS特性曲线如同两只单向的TVS背靠背组合,正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性。特性曲线图如图1所示:
2结构设计
2.1 2颗单向瞬态管芯片背靠背叠加
从特性曲线上分析,双向TVS可以采用两颗单向TVS芯片背靠背叠加
进行设计。单向TVS芯片结构如图2所示,一般采用台面结构,通过扩散,在芯片上形成PN结,并进行玻璃内钝化。达到保护芯片PN结的作用。
采用两颗单向TVS芯片背靠背组合可以构成双向TVS管结构,如图3所示:
2.2 采用单颗双向TVS管芯片
目前市场上常见的双向TVS芯片采用的也是台面结构,在生产过程中通过对芯片进行双面扩散,从而在芯片形成上下两个PN结,并在芯片周围进行玻璃内钝化,达到保护芯片PN结的作用。……
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