李春丽， 李欢欢， 卢虎生

（内蒙古科技大学经济与管理学院，内蒙古 包头014000）

0 引 言

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称 CMP） 是在 1965 年由 Walsh 和 Herzog 首次提出的[1]，该技术是近十几年发展的新一代超精密表面制造方法，是目前最为主流实现全局平面化的工艺技术[2]，该技术已逐渐被应用于各种需要表面平整处理的工件。 Steigerwald 等对CMP 技术所采用的设备及用品进行了列举[3]。 其中在材料的选择方面，由于抛光浆液的性能直接影响抛光后表面的质量， 所以选择性能好的抛光浆料，是高抛光速率和好平整度的保证。

目前，铈基稀土抛光粉因其光洁度高、使用寿命长、 操作环境清洁等优点成为了抛光公认的首选粉体，在衡量其在抛光工艺过程中的质量指标中，抛光粉的切削率、粉的悬浮性以及抛光粉浆料的流变性等指标成为了关键的质量要素。但是由于在实际的生产中稀土抛光粉使用不规范，与所生产产品要求的质量不匹配，缺乏完整系统的质量管理体系，在加工过程中不注重使用可靠的质量改进和控制技术而多选择事后控制，这些都造成了稀土资源的浪费。 尽管国内有学者探索了从抛光废料中回收稀土，但是工艺产生的废渣太多并不能从本质上解决问题[4]。

著名质量管理专家田口认为，产品质量首先是设计出来的，其次才是制造出来的，因此质量控制需要从制造阶段进一步提前到设计阶段。 稳健设计的理念从对实物问题解决型到为满足客户多重需求的技术开发型进行了转变[5]。……